VS-GB75LP120N

IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK
VS-GB75LP120N P1
VS-GB75LP120N P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GB75LP120N

品番
VS-GB75LP120N
メーカー
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明
IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
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品番 VS-GB75LP120N
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ -
構成 Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 170A
電力 - 最大 658W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 1.82V @ 15V, 75A (Typ)
電流 - コレクタ遮断(最大) 1mA
入力容量(Cies)@ Vce 5.52nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース INT-A-PAK (3 + 4)
サプライヤデバイスパッケージ INT-A-PAK

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