SQ4005EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
SQ4005EY-T1_GE3 P1
SQ4005EY-T1_GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SQ4005EY-T1_GE3

品番
SQ4005EY-T1_GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- SQ4005EY-T1_GE3 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 SQ4005EY-T1_GE3
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 12V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 22 mOhm@ 13.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 38nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±8V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3600pF @ 6V
FET機能 -
消費電力(最大) 6W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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