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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPCF8A01(TE85L)

品番	TPCF8A01(TE85L)
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.2V @ 200µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	7.5nC @ 5V
Vgs（最大）	±12V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	590pF @ 10V
FET機能	Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大）	330mW (Ta)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	VS-8 (2.9x1.5)
パッケージ/ケース	8-SMD, Flat Lead

品番	メーカー	説明	PDF	在庫あり	見る
TPCF8101(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 12V 6A VS-8		0	詳細
TPCF8102(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A		0	詳細
TPCF8104(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 30V 6A VS-8		0	詳細
TPCF8107,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 30V 6A VS-8	-	435	詳細
TPCF8201(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8		0	詳細
TPCF8304(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2P-CH 30V 3.2A VS-8		0	詳細
TPCF8402(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8		0	詳細
TPCF8A01(TE85L)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 3A VS-8	-	19041	詳細
TPCF8B01(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8		0	詳細