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| 品番 | TPC8212-H(TE12LQ,M |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 21 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.3V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 16nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 840pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 450mW |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP (5.5x6.0) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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TPC8211(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8 | 0 | 詳細 | |
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TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 | 0 | 詳細 | |
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TPC8213-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8 | 0 | 詳細 |