画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | TK8R2A06PL,S4X |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 300µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 28.4nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1990pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 36W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 11.4 mOhm @ 8A, 4.5V |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220SIS |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK8R2A06PL,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 280 | 詳細 |