TK160F10N1L,LQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK160F10N1L,LQ P1
TK160F10N1L,LQ P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK160F10N1L,LQ

品番
TK160F10N1L,LQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TK160F10N1L,LQ PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TK160F10N1L,LQ
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 160A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 122nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 10100pF @ 10V
FET機能 -
消費電力(最大) 375W (Tc)
動作温度 175°C
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-220SM(W)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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