SSM6L09FUTE85LF

MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
SSM6L09FUTE85LF P1
SSM6L09FUTE85LF P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6L09FUTE85LF

品番
SSM6L09FUTE85LF
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- SSM6L09FUTE85LF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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品番 SSM6L09FUTE85LF
部品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 400mA, 200mA
Rds On(Max)@ Id、Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.8V @ 100µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 20pF @ 5V
電力 - 最大 300mW
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ US6

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