GT10G131(TE12L,Q)

IGBT 400V 1W 8-SOIC
GT10G131(TE12L,Q) P1
GT10G131(TE12L,Q) P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Toshiba Semiconductor and Storage ~ GT10G131(TE12L,Q)

品番
GT10G131(TE12L,Q)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
IGBT 400V 1W 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
GT10G131(TE12L,Q).pdf GT10G131(TE12L,Q) PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - シングル
  • 在庫あり$数量個
  • 参考価格 : submit a request

表示よりも数量の多い価格見積依頼を提出

製品パラメータ

すべての製品

品番 GT10G131(TE12L,Q)
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ -
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 400V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) -
電流 - コレクタパルス(Icm) 200A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.3V @ 4V, 200A
電力 - 最大 1W
スイッチングエネルギー -
入力方式 Standard
ゲートチャージ -
Td(オン/オフ)@ 25℃ 3.1µs/2µs
テスト条件 -
逆回復時間(trr) -
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP (5.5x6.0)

関連製品

すべての製品