TPS2830DR

IC NONINV SYN FET DRVR 14-SOIC
TPS2830DR P1
TPS2830DR P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Texas Instruments ~ TPS2830DR

品番
TPS2830DR
メーカー
Texas Instruments
説明
IC NONINV SYN FET DRVR 14-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TPS2830DR PDF online browsing
家族
PMIC - ゲートドライバ
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製品パラメータ

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品番 TPS2830DR
部品ステータス Obsolete
駆動構成 High-Side
チャネルタイプ Synchronous
ドライバ数 2
ゲートタイプ N-Channel MOSFET
電圧 - 供給 4.5 V ~ 15 V
ロジック電圧 - VIL、VIH -
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 2.7A, 2.4A
入力方式 Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 28V
立ち上がり/立ち下がり時間(Typ) 50ns, 50ns
動作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 14-SOIC

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