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| 品番 | STQ2HNK60ZR-AP |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 500mA (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 15nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 280pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.8 Ohm @ 1A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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STQ2HNK60ZR-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 | - | 0 | 詳細 |