STGB6M65DF2

IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
STGB6M65DF2 P1
STGB6M65DF2 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

STMicroelectronics ~ STGB6M65DF2

品番
STGB6M65DF2
メーカー
STMicroelectronics
説明
IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- STGB6M65DF2 PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - シングル
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製品パラメータ

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品番 STGB6M65DF2
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 650V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 12A
電流 - コレクタパルス(Icm) 24A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2V @ 15V, 6A
電力 - 最大 88W
スイッチングエネルギー 36µJ (on), 200µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 21.2nC
Td(オン/オフ)@ 25℃ 15ns/90ns
テスト条件 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) 140ns
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK

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