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| 品番 | RJK60S7DPK-M0#T0 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 39nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2300pF @ 25V |
| Vgs（最大） | +30V, -20V |
| FET機能 | Super Junction |
| 消費電力（最大） | 227.2W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PSG |
| パッケージ/ケース | TO-3PSG |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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RJK60S7DPK-M0#T0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG | - | 66 | 詳細 |
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RJK60S7DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP | - | 29 | 詳細 |