NTMFS5H600NLT1G

T8 60V MOSFET
NTMFS5H600NLT1G P1
NTMFS5H600NLT1G P1
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ON Semiconductor ~ NTMFS5H600NLT1G

品番
NTMFS5H600NLT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
T8 60V MOSFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NTMFS5H600NLT1G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 NTMFS5H600NLT1G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 35A (Ta), 250A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 11nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6680pF @ 30V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.3 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN, 5 Leads

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