NTF3055-100T1G-IRH1

NFET SOT223 60V 3A 0.100R
NTF3055-100T1G-IRH1 P1
NTF3055-100T1G-IRH1 P1
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ON Semiconductor ~ NTF3055-100T1G-IRH1

品番
NTF3055-100T1G-IRH1
メーカー
ON Semiconductor
説明
NFET SOT223 60V 3A 0.100R
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NTF3055-100T1G-IRH1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 NTF3055-100T1G-IRH1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 110 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 22nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 455pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.3W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223 (TO-261)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA

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