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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | NSVBAS21TMR6T1G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオード構成 | 3 Independent |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 250V |
| 電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり） | 200mA (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.25V @ 200mA |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 逆回復時間（trr） | 50ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 100nA @ 200V |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SC-74, SOT-457 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-74 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NSVBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | - | 40000 | 詳細 |
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NSVBA114YDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | - | 0 | 詳細 |
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NSVBAS116LT3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 | - | 200000 | 詳細 |
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NSVBAS16TT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75 | - | 0 | 詳細 |
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NSVBAS16WT3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70 | - | 180000 | 詳細 |
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NSVBAS19LT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23 | - | 384000 | 詳細 |
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NSVBAS20LT3G | ON Semiconductor | DIODE GP 200V 200MA SOT23-3 | - | 0 | 詳細 |
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NSVBAS21AHT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 | - | 27000 | 詳細 |
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NSVBAS21HT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 | - | 0 | 詳細 |
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NSVBAS21HT3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 | - | 0 | 詳細 |
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NSVBAS21M3T5G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723 | - | 104000 | 詳細 |
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NSVBAS21SLT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23 | - | 60000 | 詳細 |