NGTB05N60R2DT4G

IGBT 5A 600V DPAK
NGTB05N60R2DT4G P1
NGTB05N60R2DT4G P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ NGTB05N60R2DT4G

品番
NGTB05N60R2DT4G
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 5A 600V DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NGTB05N60R2DT4G PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - シングル
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製品パラメータ

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品番 NGTB05N60R2DT4G
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 600V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 16A
電流 - コレクタパルス(Icm) 20A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2V @ 15V, 5A
電力 - 最大 56W
スイッチングエネルギー 188µJ (on), 60µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 30nC
Td(オン/オフ)@ 25℃ 44ns/82ns
テスト条件 300V, 5A, 30 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) 70ns
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤデバイスパッケージ DPAK

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