NE5230DR2

IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC
NE5230DR2 P1
NE5230DR2 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ NE5230DR2

品番
NE5230DR2
メーカー
ON Semiconductor
説明
IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NE5230DR2 PDF online browsing
家族
リニア - アンプ - 計器、オペアンプ、バッファアンプ
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製品パラメータ

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品番 NE5230DR2
部品ステータス Obsolete
アンプタイプ General Purpose
回路数 1
出力タイプ Rail-to-Rail
スルーレート 0.25 V/µs
ゲイン帯域幅積 600kHz
-3dbの帯域幅 -
電流 - 入力バイアス 40nA
電圧 - 入力オフセット 400µV
電流 - 供給 1.1mA
電流出力/チャネル 32mA
電圧 - 電源、シングル/デュアル(±) 1.8 V ~ 15 V, ±0.9 V ~ 7.5 V
動作温度 0°C ~ 70°C
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC

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