NCP5359ADR2G

IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
NCP5359ADR2G P1
NCP5359ADR2G P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ NCP5359ADR2G

品番
NCP5359ADR2G
メーカー
ON Semiconductor
説明
IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NCP5359ADR2G PDF online browsing
家族
PMIC - ゲートドライバ
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製品パラメータ

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品番 NCP5359ADR2G
部品ステータス Last Time Buy
駆動構成 Half-Bridge
チャネルタイプ Synchronous
ドライバ数 2
ゲートタイプ N-Channel MOSFET
電圧 - 供給 10 V ~ 13.2 V
ロジック電圧 - VIL、VIH 1V, 2V
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) -
入力方式 Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 30V
立ち上がり/立ち下がり時間(Typ) 16ns, 15ns
動作温度 0°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC

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