MMBFJ177LT1G

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
MMBFJ177LT1G P1
MMBFJ177LT1G P1
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ON Semiconductor ~ MMBFJ177LT1G

品番
MMBFJ177LT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- MMBFJ177LT1G PDF online browsing
家族
トランジスタ - JFET
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製品パラメータ

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品番 MMBFJ177LT1G
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS) 30V
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) -
電流 - ドレイン(Idss)Vds(Vgs = 0) 1.5mA @ 15V
電流ドレイン(Id) - 最大 -
電圧 - カットオフ(VGSオフ)@ Id 800mV @ 10nA
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 11pF @ 10V (VGS)
抵抗 - RDS(オン) 300 Ohm
電力 - 最大 225mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)

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