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BOM

MJD350G

TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル › MJD350G
MJD350G P1
MJD350G P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ MJD350G

品番
MJD350G
メーカー
ON Semiconductor
説明
TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- MJD350G PDF online browsing
家族
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル
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製品パラメータ

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品番 MJD350G
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ PNP
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 500mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 300V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic -
電流 - コレクタ遮断（最大） 100µA
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 30 @ 50mA, 10V
電力 - 最大 1.56W
周波数 - 遷移 -
動作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤデバイスパッケージ DPAK-3

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