FQI27N25TU-F085

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
FQI27N25TU-F085 P1
FQI27N25TU-F085 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ FQI27N25TU-F085

品番
FQI27N25TU-F085
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 FQI27N25TU-F085
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 250V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 25.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 110 mOhm @ 12.75A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 65nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1800pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.13W (Ta), 417W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK (TO-262)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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