FQD12N20LTM-F085

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
FQD12N20LTM-F085 P1
FQD12N20LTM-F085 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ FQD12N20LTM-F085

品番
FQD12N20LTM-F085
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FQD12N20LTM-F085 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
  • 在庫あり$数量個
  • 参考価格 : submit a request

表示よりも数量の多い価格見積依頼を提出

製品パラメータ

すべての製品

品番 FQD12N20LTM-F085
部品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 21nC @ 5V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1080pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

関連製品

すべての製品