FGD3N60LSDTM-T

INTEGRATED CIRCUIT
FGD3N60LSDTM-T P1
FGD3N60LSDTM-T P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ FGD3N60LSDTM-T

品番
FGD3N60LSDTM-T
メーカー
ON Semiconductor
説明
INTEGRATED CIRCUIT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FGD3N60LSDTM-T PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - シングル
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製品パラメータ

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品番 FGD3N60LSDTM-T
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ -
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 600V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 6A
電流 - コレクタパルス(Icm) 25A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 1.5V @ 10V, 3A
電力 - 最大 40W
スイッチングエネルギー 250µJ (on), 1mJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 12.5nC
Td(オン/オフ)@ 25℃ 40ns/600ns
テスト条件 480V, 3A, 470 Ohm, 10V
逆回復時間(trr) 234ns
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)

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