FDMS3660S-F121

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
FDMS3660S-F121 P1
FDMS3660S-F121 P1
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ON Semiconductor ~ FDMS3660S-F121

品番
FDMS3660S-F121
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FDMS3660S-F121 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 FDMS3660S-F121
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 13A, 30A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.7V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 29nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1765pF @ 15V
電力 - 最大 1W
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
サプライヤデバイスパッケージ Power56

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