EFC6602R-A-TR

MOSFET 2N-CH EFCP
EFC6602R-A-TR P1
EFC6602R-A-TR P1
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ON Semiconductor ~ EFC6602R-A-TR

品番
EFC6602R-A-TR
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET 2N-CH EFCP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- EFC6602R-A-TR PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 EFC6602R-A-TR
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 Logic Level Gate, 2.5V Drive
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) -
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 55nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
電力 - 最大 2W
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-XFBGA
サプライヤデバイスパッケージ 6-EFCP (2.7x1.81)

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