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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | PMDT290UCE,115 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 800mA, 550mA |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 380 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 950mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 83pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 500mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-666 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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PMDT290UCE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V SOT666 | 0 | 詳細 | |
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PMDT290UNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 | 0 | 詳細 | |
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PMDT290UNEYL | Nexperia USA Inc. | PMDT290UNE/SOT666/SOT6 | - | 564741 | 詳細 |