SG2013J-883B

TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
SG2013J-883B P1
SG2013J-883B P1
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Microsemi Corporation ~ SG2013J-883B

品番
SG2013J-883B
メーカー
Microsemi Corporation
説明
TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- SG2013J-883B PDF online browsing
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - アレイ
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製品パラメータ

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品番 SG2013J-883B
部品ステータス Active
トランジスタタイプ 7 NPN Darlington
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 600mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 50V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 1.9V @ 600µA, 500mA
電流 - コレクタ遮断(最大) -
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 900 @ 500mA, 2V
電力 - 最大 -
周波数 - 遷移 -
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース -
サプライヤデバイスパッケージ 16-CDIP

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