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| 品番 | IXTI12N50P |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 29nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1830pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 200W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 500 mOhm @ 6A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IXTI10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK | 0 | 詳細 | |
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IXTI12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK | 0 | 詳細 |