IXTH1N200P3

MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
IXTH1N200P3 P1
IXTH1N200P3 P2
IXTH1N200P3 P1
IXTH1N200P3 P2
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IXYS ~ IXTH1N200P3

品番
IXTH1N200P3
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXTH1N200P3.pdf IXTH1N200P3 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXTH1N200P3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 2000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 23.5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 646pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 40 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース TO-247-3

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