IXTA3N120

MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263
IXTA3N120 P1
IXTA3N120 P1
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IXYS ~ IXTA3N120

品番
IXTA3N120
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXTA3N120
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 42nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1350pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 200W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263 (IXTA)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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