IXFX32N90P

MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247
IXFX32N90P P1
IXFX32N90P P1
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IXYS ~ IXFX32N90P

品番
IXFX32N90P
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFX32N90P.pdf IXFX32N90P PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXFX32N90P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 900V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 32A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 6.5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 215nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 10600pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 960W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 300 mOhm @ 16A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PLUS247™-3
パッケージ/ケース TO-247-3

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