IXFT26N60P

MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
IXFT26N60P P1
IXFT26N60P P1
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IXYS ~ IXFT26N60P

品番
IXFT26N60P
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IXFT26N60P PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXFT26N60P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 26A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 4mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 72nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4150pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 460W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 270 mOhm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-268
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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