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| 品番 | IXFN50N120SK |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 48A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 52 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.8V @ 10mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 115nC @ 20V |
| Vgs（最大） | +20V, -5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1895pF @ 1000V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IXFN100N10S1 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | - | 0 | 詳細 |
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IXFN100N10S2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | - | 0 | 詳細 |
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IXFN100N10S3 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | - | 0 | 詳細 |
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IXFN100N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B | - | 0 | 詳細 |
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IXFN100N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B | - | 2827 | 詳細 |
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IXFN100N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B | - | 85 | 詳細 |
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IXFN100N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 | 19 | 詳細 | |
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IXFN100N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 3058 | 詳細 |
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IXFN102N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B | 0 | 詳細 | |
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IXFN106N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B | - | 88 | 詳細 |
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IXFN110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 | 300 | 詳細 | |
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IXFN110N85X | IXYS | 850V/110A ULT JUNCT X-CLASS HIPE | 2 | 詳細 |