IXFN230N20T

MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
IXFN230N20T P1
IXFN230N20T P1
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IXYS ~ IXFN230N20T

品番
IXFN230N20T
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFN230N20T.pdf IXFN230N20T PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXFN230N20T
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 220A
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 8mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 378nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 28000pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1090W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 7.5 mOhm @ 60A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC

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