IXFH9N80Q

MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
IXFH9N80Q P1
IXFH9N80Q P2
IXFH9N80Q P1
IXFH9N80Q P2
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IXYS ~ IXFH9N80Q

品番
IXFH9N80Q
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXFH9N80Q
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 2.5mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 56nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2200pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 180W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.1 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース TO-247-3

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