IRLB4030PBF

MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
IRLB4030PBF P1
IRLB4030PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLB4030PBF

品番
IRLB4030PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRLB4030PBF.pdf IRLB4030PBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRLB4030PBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 180A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 130nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 11360pF @ 50V
Vgs(最大) ±16V
FET機能 -
消費電力(最大) 370W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4.3 mOhm @ 110A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

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