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| 品番 | IRF200B211 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.9V @ 50µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 23nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 80W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 170 mOhm @ 7.2A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF200B211 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB | 2858 | 詳細 | |
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IRF200P222 | Infineon Technologies | MOSFET IFX OPTIMOS TO247 | 0 | 詳細 | |
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IRF200P223 | Infineon Technologies | MOSFET IFX OPTIMOS TO247 | 0 | 詳細 | |
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IRF200S234 | Infineon Technologies | TRENCH_MOSFETS | - | 0 | 詳細 |
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IRF2204LPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 170A TO-262 | 0 | 詳細 | |
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IRF2204PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB | 1277 | 詳細 | |
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IRF2204SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK | 4842 | 詳細 | |
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IRF24ER100K | Vishay Dale | IRF-24 10 10 ER E3 | - | 686043 | 詳細 |
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IRF24ER101K | Vishay Dale | IRF-24 100 10 ER E3 | - | 686043 | 詳細 |
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IRF24ER102K | Vishay Dale | IRF-24 1K 10 ER E3 | - | 686043 | 詳細 |
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IRF24ER120K | Vishay Dale | IRF-24 12 10 ER E3 | - | 686043 | 詳細 |
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IRF24ER121K | Vishay Dale | IRF-24 120 10 ER E3 | - | 686043 | 詳細 |