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| 品番 | BSZ067N06LS3GATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta), 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.7 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 35µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 67nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5100pF @ 30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSZ067N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | - | 10000 | 詳細 |
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BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | - | 127926 | 詳細 |