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| 品番 | BSS806NH6327XTSA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.3A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.8V, 2.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 750mV @ 11µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 529pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 500mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT23-3 |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | 9000 | 詳細 | |
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BSS806NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | - | 21000 | 詳細 |
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BSS806NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | 0 | 詳細 |