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BOM

2N7637-GA

TRANS SJT 650V 7A TO-257
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › 2N7637-GA
2N7637-GA P1
2N7637-GA P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

GeneSiC Semiconductor ~ 2N7637-GA

品番
2N7637-GA
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
TRANS SJT 650V 7A TO-257
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
2N7637-GA.pdf 2N7637-GA PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 2N7637-GA
部品ステータス Active
FETタイプ -
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 7A (Tc) (165°C)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） -
Vgs（th）（Max）@ Id -
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 720pF @ 35V
Vgs（最大） -
FET機能 -
消費電力（最大） 80W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 170 mOhm @ 7A
動作温度 -55°C ~ 225°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-257
パッケージ/ケース TO-257-3

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