FQPF19N20CYDTU

MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
FQPF19N20CYDTU P1
FQPF19N20CYDTU P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FQPF19N20CYDTU

品番
FQPF19N20CYDTU
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FQPF19N20CYDTU PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 FQPF19N20CYDTU
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 19A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 53nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1080pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 43W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 170 mOhm @ 9.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F-3 (Y-Forming)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

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