FDN302P

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
FDN302P P1
FDN302P P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDN302P

品番
FDN302P
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FDN302P PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 FDN302P
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.4A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 14nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 882pF @ 10V
Vgs(最大) ±12V
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SuperSOT-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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