ZXMN2F30FHQTA

MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
ZXMN2F30FHQTA P1
ZXMN2F30FHQTA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMN2F30FHQTA

品番
ZXMN2F30FHQTA
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 ZXMN2F30FHQTA
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.9A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 4.8nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 452pF @ 10V
Vgs(最大) ±12V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.4W
Rds On(Max)@ Id、Vgs 45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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