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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | DMT10H009LSS-13 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 13A (Ta), 48A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 9 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 40.2nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2309pF @ 50V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.8W (Ta) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |