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Numero di parte | E3M0120090D |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
Vgs (massimo) | +18V, -8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 97W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |