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| Numero di parte | NXPSC04650Q |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 4A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 4A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 170µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
| Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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NXPS20H100C,127 | WeEn Semiconductors | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 | - | 0 | Dettagli |
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NXPS20H100CX,127 | WeEn Semiconductors | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F | - | 0 | Dettagli |
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NXPS20H110C,127 | WeEn Semiconductors | DIODE ARRAY SCHOTTKY 110V TO220 | - | 0 | Dettagli |
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NXPS20S100C,127 | WeEn Semiconductors | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 | - | 0 | Dettagli |
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NXPS20S100CX,127 | WeEn Semiconductors | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F | - | 0 | Dettagli |
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NXPS20S110C,127 | WeEn Semiconductors | DIODE SCHOTTKY 110V SIL3P | - | 0 | Dettagli |
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NXPSC04650BJ | WeEn Semiconductors | DIODE SCHOTTKY 650V 4A D2PAK | - | 454 | Dettagli |
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NXPSC04650DJ | WeEn Semiconductors | DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK | - | 448 | Dettagli |
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NXPSC04650Q | WeEn Semiconductors | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 | - | 0 | Dettagli |
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NXPSC04650XQ | WeEn Semiconductors | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220F | - | 448 | Dettagli |
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NXPSC06650BJ | WeEn Semiconductors | DIODE SCHOTTKY 650V 6A D2PAK | - | 441 | Dettagli |
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NXPSC06650DJ | WeEn Semiconductors | DIODE SCHOTTKY 650V 6A DPAK | - | 441 | Dettagli |