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| Numero di parte | SQS423EN-T1_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1975pF @ 15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SQS420EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 1212-8 | - | 0 | Dettagli |
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SQS423EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212 | - | 146940 | Dettagli |