SIZ350DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
SIZ350DT-T1-GE3 P1
SIZ350DT-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIZ350DT-T1-GE3

Numero di parte
SIZ350DT-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- SIZ350DT-T1-GE3 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte SIZ350DT-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.75 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 15V
Potenza - Max 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore 8-Power33 (3x3)

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