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| Numero di parte | SIZ342DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 15V |
| Potenza - Max | 3.6W, 4.3W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-Power33 (3x3) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SIZ340DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-23 | - | 0 | Dettagli |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3 | - | 3000 | Dettagli |
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SIZ346DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33 | - | 223194 | Dettagli |
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SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR | - | 121398 | Dettagli |