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| Numero di parte | SIDR402DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 64.6A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.88 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | +20V, -16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9100pF @ 20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8DC |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SIDR402DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC | - | 50457 | Dettagli |